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 本刊目录 |
| 《半导体技术》-2016年08期目录 |
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基于石墨烯场效应晶体管的研究进展 |
王聪;刘玉荣; |
561-569+579 |
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适用于闪存的高速灵敏放大器 |
郭家荣;冉峰; |
570-574 |
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14 bit 250 MS/s电荷域流水线ADC的全定制版图设计 |
张甘英;陈珍海;魏敬和;于宗光; |
575-579 |
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一种超小型DC18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器 |
谢媛媛;陈凤霞;高学邦; |
580-585 |
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一种新型微波宽带压控振荡器的设计 |
孙高勇;要志宏;郭文胜;张加程; |
586-589+635 |
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Ka波段高隔离单刀单掷开关设计 |
周勇涛;凡守涛;许春良;魏绍仁; |
590-594 |
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模拟预失真功率放大器的研制 |
朱峰;方家兴;吴洪江;郝朝辉; |
595-598+614 |
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太赫兹InP HEMT器件的研究 |
刘亚男;杜光伟;胡志富;孙希国;崔玉兴; |
599-603+609 |
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毫米波AlGaN/GaN HEMT热电物理模型 |
何放;董若岩;徐跃杭; |
604-609 |
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4英寸硅衬底GaN发光二极管 |
袁凤坡;刘波;尹甲运;王波;王静辉;唐景庭; |
610-614 |
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pH调节剂对蓝宝石衬底CMP的影响 |
王建超;牛新环;李睿琦;赵欣; |
615-619 |
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外延生长用磷化铟单晶片清洗技术 |
武永超;林健;刘春香;王云彪;赵权; |
620-624 |
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路 |
蔚翠; |
624 |
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1T’-MoTe_2原位生长关键工艺技术 |
熊丝纬;孙清清; |
625-630 |
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一种新型封装材料的热耗散能力分析与验证 |
刘林杰;崔朝探;高岭; |
631-635 |
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AlGaN/GaN HEMT在不同温度下的退化规律及退化机理 |
郭春生;任云翔;高立;冯士维;李世伟; |
636-639 |
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第十三届固态和集成电路技术国际会议(第一次征文通知) |
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