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 本刊目录 |
| 《半导体技术》-2016年07期目录 |
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FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响 |
金林;王菲菲; |
481-487+508 |
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18GHz整数频率合成芯片 |
李晋;齐贺飞;王硕;蒋永红;赵瑞华; |
488-492+498 |
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2～5GHz宽带CMOS低噪声放大器设计 |
程远垚;蒋品群;宋树祥; |
493-498 |
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带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计 |
张滨;李富强;杨柳;魏洪涛;方园; |
499-503 |
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2～20GHz宽带单片集成双向放大器 |
李新霞;杨楠;王磊; |
504-508 |
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超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT |
陈文锁;张培建;钟怡; |
509-513+555 |
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GaN基材料和器件的质子辐照效应 |
谷文萍;张进成;张林;徐小波;刘盼芝; |
514-519 |
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SiGe HBT小信号和大信号建模与分析 |
孟煜晗;何庆国; |
520-526 |
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SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究 |
商庆杰;王敬松;高渊;么锦强;张力江; |
527-531 |
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与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能 |
顾俊;吴渊渊;杨文献;陆书龙;罗向东; |
532-538 |
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棒状纳米Cu_2O薄膜的制备及其光电性能 |
王晶晶;江瑶瑶;黎燕;莫德清;朱义年;钟福新; |
539-546 |
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Na/Mg共掺ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性研究 |
张彩珍;陈永刚;刘肃;王永顺; |
547-550 |
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功率MMIC封装的热分析 |
米多斌;王绍东;倪涛; |
551-555 |
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软件调控的三极管放大倍数脉冲测试方法 |
罗光明;陈彦翔; |
556-560 |
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