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本刊目录 |
《半导体技术》-2016年06期目录 |
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用于离子敏场效应晶体管的生化参比电极研究进展 |
张敬维;许明;赵丹;曾瑞雪;吴东平; |
401-410 |
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技美科技发布通用协作机器人手臂 |
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410 |
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基于遗传算法的宽带低噪声放大器设计 |
吴会丛;李斌; |
411-415 |
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高稳定性高瞬态响应无片外电容LDO的设计 |
谢海情;肖正;唐俊龙;周斌腾;曾承伟;陈希贤; |
416-420 |
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基于InGaP/GaAs HBT工艺X波段低相噪压控振荡器 |
陈君涛;李世峰; |
421-424 |
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618 GHz宽带驱动放大器的研制 |
李远鹏;赵炳忠;魏洪涛;刘永强; |
425-428+480 |
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一种基于相位插值器的低抖动串行链路接收器 |
吕俊盛;邵刚;田泽; |
429-434 |
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218 GHz 10 W GaN HEMT非均匀分布式功率放大器 |
冯威;刘帅;张斌; |
435-439 |
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逆变器中IGBT功率模块的电热联合仿真模型 |
姚芳;王少杰;李志刚; |
440-445+472 |
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GaAs HEMT开关器件的大信号模型 |
刘亚男;杜光伟;胡志富;孙希国;崔玉兴; |
446-450+480 |
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宽脉冲大占空比L波段500W内匹配GaN HEMT器件 |
邬佳晟;徐守利;刘英坤;刘秀博; |
451-455+466 |
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微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节 |
周祥标;许鹏;付超超;吴东平; |
456-460 |
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ZnSeTe薄膜的分子束外延生长 |
任敬川;刘超;崔利杰;曾一平; |
461-466 |
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磁控溅射ZnO薄膜及其微观结构与光电特性 |
宋从政;陈俊芳;张有鹏;王燕;熊文文; |
467-472 |
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大功率半导体激光二极管阵列加速寿命试验方法 |
王天质;仲莉; |
473-480 |
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TE推出新型5A薄型电池连接器 |
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466 |
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