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 本刊目录 |
| 《半导体技术》-2016年05期目录 |
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半导体微盘激光器特性及研究进展 |
李雨霏;晏长岭;史建伟; |
321-328+370 |
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白光LED的光生物安全性 |
张硕;刘立莉;杨华;段瑞飞; |
329-334+370 |
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应用于MEMS谐振器的跨阻放大器设计及实现 |
谢勇;来强涛;陈华;郭江飞;郭桂良;阎跃鹏; |
335-340 |
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X波段12W GaAs功率放大器MMIC |
冯威;倪帅; |
341-346+383 |
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S波段接收通道的小型化研究 |
王元佳;要志宏;王乔楠;高长征; |
347-352 |
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X波段SiGe BiCMOS功率放大器设计 |
陈君涛;王绍权;廖余立; |
353-356 |
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一款用于TCXO的三次方函数补偿电路 |
吴佳;林长龙;郭振义;李国峰; |
357-361 |
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一种新型非对称栅隧穿场效应晶体管 |
王艳福;王红茹;王颖; |
362-365+377 |
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考虑界面捕获效应的MIFIS结构电学性能 |
孙静;李立;施晓蓉; |
366-370 |
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基于集成无源器件工艺的射频功率分配器设计 |
隆万洪;黄文韬;吴振川;徐宽茂;蒋凯旋; |
371-377 |
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《半导体技术》稿约 |
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377 |
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AlGaN背势垒对SiC衬底AlN/GaN HEMT器件的影响 |
王维;顾国栋;敦少博;吕元杰; |
378-383 |
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反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响 |
郭立建;韩军;邢艳辉;王凯;赵康康;于保宁; |
384-389 |
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深槽刻蚀侧壁平坦化技术 |
於广军;杨彦涛;闻永祥;李志栓;方佼;马志坚; |
390-393 |
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S波段GaN微波功率管脉冲射频加速寿命试验 |
任俊华;李用兵;刘晓峰;余若祺;黄雒光; |
394-397 |
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第一次征文通知 第十三届固态和集成电路技术国际会议 |
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398 |
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第十届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会(第一轮会议通知) |
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399 |
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第九届中国微纳电子技术交流与学术研讨会会议通知(第一轮) |
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400 |
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