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 本刊目录 |
| 《半导体技术》-2016年03期目录 |
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AlGaN/GaN HEMT器件结构退化影响因素的研究现状 |
付兴中;赵金霞;崔玉兴;付兴昌; |
161-168+197 |
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应用于TCXO的高性能温度传感器设计 |
林长龙;郭振义;孙欣茁;梁科;王锦;李国峰; |
169-173+214 |
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一款基于CMOS工艺的可编程VCXO芯片设计 |
李晋;陈君涛;黎敏强;蒋永红;赵瑞华; |
174-179 |
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基于GaAs E/D PHEMT工艺的6～10 GHz多功能MMIC |
张滨;杨柳;谢媛媛;李富强;魏洪涛;方园; |
180-185 |
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《半导体技术》稿约 |
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185 |
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无刷直流电机中霍尔传感器芯片设计 |
陶庆斌;宋贺伦;茹占强;张耀辉; |
186-191 |
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光学传感器助力可穿戴设备实现超低功耗和精准的心率监测 |
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191 |
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界面层对金属与n型Ge接触的影响 |
周志文;叶剑锋;李世国; |
192-197 |
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SOI基亚微米级光功率可调波分复用/解复用器 |
袁配;吴远大;王玥;安俊明;胡雄伟; |
198-203 |
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Parylene膜对半导体激光器性能的影响 |
井红旗;赵懿昊;吴霞;王鑫;刘素平;马骁宇; |
204-209 |
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低阈值980nm单模半导体激光器 |
赵润;宁吉丰;车相辉;蒋红旺;陈宏泰; |
210-214 |
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一种新型高压功率器件终端结构的实现 |
李理; |
215-218+228 |
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绿色激光退火对多晶锗硅薄膜特性的影响 |
刘立滨;张伟;周伟;王全;许军;梁仁荣; |
219-223 |
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Diodes高精度单芯片保护集成电路 |
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223 |
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变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响 |
袁凤坡;王波;潘鹏;王静辉;唐景庭; |
224-228 |
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小电流晶闸管静电放电损伤特性研究 |
简勋;张希军;杨洁; |
229-233 |
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短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析 |
陈晓娟;樊欣欣;吴洁; |
234-239 |
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第一次征文通知 第十三届固态和集成电路技术国际会议 |
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240 |
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